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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測(cè) · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
切片測(cè)試(Cross Section)
描述: 切片技術(shù)(英文名: Cross-section, X-section),是一種觀察樣品截面結(jié)構(gòu)情況最常用的制樣分析手段。
切片分析技術(shù)常用于PCB/PCBA、零部件等制造行業(yè)中,通常被用作品質(zhì)判定和品質(zhì)異常分析、檢驗(yàn)電路板品質(zhì)的好壞、PCBA焊接質(zhì)量檢測(cè)、尋找失效的原因與解決方案、評(píng)估制程改進(jìn),做為客觀檢查、研究與判斷的根據(jù),也是芯片失效分析常用的手段之一。
應(yīng)用范圍:半導(dǎo)體元器件、PCB/PCBA。
切片測(cè)試圖片:
切片測(cè)試設(shè)備圖片:
切片測(cè)試分析步驟:
取樣→清洗→真空鑲嵌→研磨→拋光→微蝕(如有必要)→分析(OM觀察、SEM觀察、EDS分析、EBSD分析等)