MOSFET相關(guān)資訊
MOSFET與IGBT兩種功率半導(dǎo)體器件的區(qū)別
在現(xiàn)代電子設(shè)備和電力系統(tǒng)中,功率開關(guān)器件起著至關(guān)重要的作用。而MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和IGBT管(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩種常見的功率開關(guān)器件, MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?它們?cè)谛阅芎蛻?yīng)用方面存在著一些重要的區(qū)別。本文將深入探究MOS管和IGBT管之間的區(qū)別,以幫助讀者更好地理解這兩種器件的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。
2024-03-06 16:26:04
查看詳情
熱門文章
什么是電氣性能?電氣性能測(cè)試包括什么?
UV測(cè)試是什么?UV測(cè)試通用檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及流程
焊縫檢測(cè)探傷一級(jí)二級(jí)三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)是多少?
芯片開蓋(Decap)檢測(cè)的有效方法及全過程細(xì)節(jié)
溫升測(cè)試(Temperature rise test)-電性能測(cè)試
芯片切片分析是什么?如何進(jìn)行切片分析試驗(yàn)?
CNAS認(rèn)證是什么?實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行CNAS認(rèn)可的目的及意義
什么是IC測(cè)試?實(shí)現(xiàn)芯片測(cè)試的解決方法介紹
芯片發(fā)熱是不是芯片壞了?在多少溫度下會(huì)損壞
熱門標(biāo)簽