L99PCU2FGAA X-ray檢測(cè)報(bào)告
日期:2021-08-19 11:00:28 瀏覽量:9141 作者:創(chuàng)芯在線檢測(cè)中心
型號(hào) :L99PCU2FGAA
器件品牌 :ST
批次代碼 :1840、1843、1844
器件封裝 :QFP64
樣品數(shù)量 :60 片
檢測(cè)數(shù)量 :60 片
收樣日期 :2021/08/09
測(cè)試日期 :2021/08/10 13:30 - 2021/08/13 15:40
測(cè)試項(xiàng)目:
外觀檢查、電特性測(cè)試、可焊性測(cè)試、X-ray 檢測(cè)、開(kāi)蓋測(cè)試
測(cè)試方法及測(cè)試設(shè)備
1.1 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):
MIL-STD-883L-2019 2009.14 ?
GJB 128A-1997
MIL-STD-883L-2019 2012.11 ?
MIL-STD-883L-2019 2010.14 ?
MIL-STD-883L-2019 2003.13
1.2 顯微鏡
設(shè)備規(guī)格:
光學(xué)顯微鏡:SEZ-260: X7-X45
金相顯微鏡:FJ-3A: X50-X500
1.3 數(shù)顯卡尺
設(shè)備規(guī)格:
MASTERPROOF:標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字顯示卡尺0-150mm
1.4 X-射線檢測(cè)
設(shè)備規(guī)格:
硬件:XiDAT Dage XD6500
軟件:11.56-DD605
放大倍率超過(guò) 2800x
分辨率低于 2um
能量:65KV / 50uA
1.5 電特性測(cè)試設(shè)備
設(shè)備規(guī)格:
半導(dǎo)體管特性圖示儀 XJ4822:
用示波管顯示半導(dǎo)體器件各種特性曲線,并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù),用于測(cè)量晶體管, 二極管,MOSFET和其他半導(dǎo)體器件。 最大集電極電壓高達(dá)3KV(可選) 步進(jìn)電壓±10V +△VB ±5V,內(nèi)部電阻低,特別適用于測(cè)試大功率VMOS器件
1.6 檢測(cè)環(huán)境
環(huán)境溫度: 25±5℃
環(huán)境相對(duì)濕度: 45%-65%RH
外觀測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2009.14
結(jié)論描述:
客戶提供制造商為 ST 型號(hào) L99PCU2FGAA 的測(cè)試品進(jìn)行外觀檢測(cè)。詳情如下: 外觀檢測(cè)測(cè)試樣品 60 片(#1-#60),芯片表面絲印清晰完整,未發(fā)現(xiàn)芯片二次涂層、打磨、缺口或破損 痕跡,發(fā)現(xiàn)多個(gè)不同的批次,發(fā)現(xiàn)管腳輕微氧化、臟污和散熱片輕微氧化現(xiàn)象,其中 1 片(#2)管腳 臟污嚴(yán)重,失敗 1 片(#2),沒(méi)有查到相關(guān)規(guī)格書尺寸,無(wú)法與規(guī)格書進(jìn)行尺寸對(duì)比,根據(jù) QFP64 的一般尺寸規(guī)格要求,對(duì)#1 尺寸進(jìn)行測(cè)量,此樣品外觀 59 片(#1)、(#3-#60)檢測(cè)通過(guò), 1 片(#2) 失敗。
測(cè)量尺寸:
L: 11.99 MM
W: 11.95 MM
H: 1.59 MM
X-Ray測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2012.11 結(jié)論描述: X-Ray 檢測(cè)測(cè)試樣品 60 片(#1-#60),發(fā)現(xiàn)#1-#60 的銀膠疑似有密度不均現(xiàn)象,未發(fā)現(xiàn)鍵合絲異常。
電特性測(cè)試:
可焊性測(cè)試結(jié)論:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2003.13
使用直插測(cè)試法對(duì) 1 片測(cè)試樣品進(jìn)行可焊性測(cè)試,測(cè)試樣品 1 片(#1)通過(guò),引腳測(cè)試端被新的焊料 層覆蓋面積超過(guò) 95%以上。
開(kāi)蓋測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2010.14
結(jié)論描述: 對(duì)客戶提供制造商為 ST 型號(hào) L99PCU2FGAA 的樣品 1 片(#1)進(jìn)行開(kāi)蓋檢查。
測(cè)試結(jié)果: #1 樣品開(kāi)蓋發(fā)現(xiàn) ST 廠商標(biāo)記和 2016 版權(quán)年及晶片代碼 UBDGAA。
測(cè)試結(jié)論: 確認(rèn)#1 樣品 die 為 ST 廠商產(chǎn)品
1.芯片描述 沒(méi)有查到相關(guān)芯片描述。
2.封裝尺寸 沒(méi)有查到相關(guān)尺寸圖。
3.來(lái)料信息
4.外觀測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2009.14
客戶提供制造商為 ST 型號(hào) L99PCU2FGAA 的測(cè)試品進(jìn)行外觀檢測(cè)。
詳情如下: 外觀檢測(cè)測(cè)試樣品 60 片(#1-#60),芯片表面絲印清晰完整,未發(fā)現(xiàn)芯片二次涂層、打磨、缺口或破損 痕跡,發(fā)現(xiàn)多個(gè)不同的批次,發(fā)現(xiàn)管腳輕微氧化、臟污和散熱片輕微氧化現(xiàn)象,其中 1 片(#2)管腳 臟污嚴(yán)重,失敗 1 片(#2),沒(méi)有查到相關(guān)規(guī)格書尺寸,無(wú)法與規(guī)格書進(jìn)行尺寸對(duì)比,根據(jù) QFP64 的一般尺寸規(guī)格要求,對(duì)#1 尺寸進(jìn)行測(cè)量,此樣品外觀 59 片(#1)、(#3-#60)檢測(cè)通過(guò), 1 片(#2) 失敗。
測(cè)量尺寸:
L: 11.99 MM
W: 11.95 MM
H: 1.59 MM
5.X-Ray測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2012.11
結(jié)論描述: X-Ray 檢測(cè)測(cè)試樣品 60 片(#1-#60),發(fā)現(xiàn)#1-#60 的銀膠疑似有密度不均現(xiàn)象,未發(fā)現(xiàn)鍵合絲異常。
6.電特性測(cè)試
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):GJB 128A-1997 使用半導(dǎo)體管特性圖示儀在 25°C 下驗(yàn)證芯片管腳電特性曲線,通過(guò)開(kāi)路/短路測(cè)試檢查芯片是否損壞。
電特性測(cè)試結(jié)果:
7.可焊性測(cè)試結(jié)論:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2003.13
使用直插測(cè)試法對(duì) 1 片測(cè)試樣品進(jìn)行可焊性測(cè)試,測(cè)試樣品 1 片(#1)通過(guò),引腳測(cè)試端被新的焊料 層覆蓋面積超過(guò) 95%以上。
8.開(kāi)蓋測(cè)試:
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-883L-2019 2010.14
結(jié)論描述: 對(duì)客戶提供制造商為 ST 型號(hào) L99PCU2FGAA 的樣品 1 片(#1)進(jìn)行開(kāi)蓋檢查。
測(cè)試結(jié)果: #1 樣品開(kāi)蓋發(fā)現(xiàn) ST 廠商標(biāo)記和 2016 版權(quán)年及晶片代碼 UBDGAA。
測(cè)試結(jié)論: 確認(rèn)#1 樣品 die 為 ST 廠商產(chǎn)品。