晶振失效如何避免?電子產(chǎn)品第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)
日期:2022-10-12 15:56:11 瀏覽量:1332 標(biāo)簽: 電子產(chǎn)品檢測(cè) 晶振
晶振的好壞直接關(guān)系整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性,具體選擇不僅僅需要對(duì)晶振參數(shù)的詳細(xì)把控,也要不同參照不同系統(tǒng)的要求,選擇不適當(dāng)時(shí)可能會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。本文將分析導(dǎo)致晶振失效的具體因素?如何避免或者解決這一問(wèn)題。
一、物料選型時(shí),參數(shù)不匹配導(dǎo)致晶振不起振
1、等效負(fù)載需要6PF而選擇了15PF;
解決辦法:更換符合要求的規(guī)格型號(hào)。必要時(shí)請(qǐng)與MCU原廠或者晶振廠商確認(rèn)。
2、頻率誤差(ppm)太大,導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱(chēng)頻率從而引起晶振不起振;
解決辦法:選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。
3、負(fù)性阻抗過(guò)大太小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振
解決辦法:調(diào)節(jié)晶振外接電容,如圖3中C1 C2,一般而言,負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱(chēng)最大阻抗3-5倍。負(fù)性阻抗過(guò)大,可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來(lái)降低負(fù)性阻抗;
4、激勵(lì)電平過(guò)大或者過(guò)小導(dǎo)致晶振不起振;
解決辦法:通過(guò)調(diào)整電路中的Rd的大小來(lái)調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言,激勵(lì)電平越小越好,處理功耗低之外,還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。
二、焊接、存儲(chǔ)等使用不規(guī)范導(dǎo)致晶振不起振
1、 焊接時(shí)溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng),導(dǎo)致晶振內(nèi)部電性能指標(biāo)出現(xiàn)異常而引起晶振不起振
解決辦法:解決辦法:焊接制程過(guò)程中一定要規(guī)范操作,對(duì)焊接時(shí)間和溫度的設(shè)定要符合晶振的要求。如有疑問(wèn)可與我們聯(lián)系確認(rèn)。
2、儲(chǔ)存環(huán)境不當(dāng)導(dǎo)致晶振電性能惡化而引起不起振
解決辦法:盡可能在常溫常濕的條件下使用、保存,避免晶振或者電路板受潮。
3、EMC問(wèn)題導(dǎo)致晶振不起振
解決辦法:一般而言,金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品,如果電路上EMC較大,則盡量選用金屬封裝制品。另外晶振下面不要走信號(hào)線,避免帶來(lái)干擾。
三、晶振制造、質(zhì)量問(wèn)題導(dǎo)致晶振不起振
1、晶振生產(chǎn)或運(yùn)輸中內(nèi)部水晶片破裂或損壞導(dǎo)致晶振不起振
解決辦法:更換好的晶振。平時(shí)需要注意運(yùn)輸過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。
2、晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)或者塵埃等導(dǎo)致晶振不起振
解決辦法:更換新的晶振。在選擇晶振供應(yīng)商的時(shí)候需要對(duì)廠商的設(shè)備、車(chē)間環(huán)境、工藝及制程能力予以考量,這關(guān)系到產(chǎn)品的品質(zhì)問(wèn)題。
當(dāng)使用時(shí)發(fā)現(xiàn)晶振不起振,一般從以上三點(diǎn)找原因即可,若出現(xiàn)停振,則要看看是否發(fā)燙,從而可能是激勵(lì)電平過(guò)高的原因;抑或是晶振在工作逐漸出現(xiàn)停振現(xiàn)象,用手碰觸或者用電烙鐵加熱晶振引腳又開(kāi)始工作,則一般原因?yàn)檎袷庪娐分械呢?fù)性阻抗值太小,需要調(diào)整晶振外接電容Cd和Cg的值來(lái)達(dá)到滿足振蕩電路的回路增益。
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