IGBT是由雙極晶體管和絕緣柵場效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合完全受控電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體設(shè)備，具有MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降兩大優(yōu)點。
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝保護方便、散熱穩(wěn)定的特點。市場上銷售的模塊化產(chǎn)品大多是這樣的產(chǎn)品。一般而言，IGBT也指IGBT模塊。IGBT是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)闹行脑O(shè)備，俗稱電力電子設(shè)備。作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，已廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車和新能源設(shè)備。隨著節(jié)能環(huán)保理念的共同發(fā)展，這樣的產(chǎn)品將在市場上越來越受歡迎。
如果IGBT芯片連接到其散熱器的焊接猜測中有一組三個小空隙，并且這些空隙相互靠近，則可以避免熱量敏捷從設(shè)備下方區(qū)域發(fā)出。隨著時間的推移，間隙上方的區(qū)域可能過熱，芯片可能發(fā)生電氣故障，導(dǎo)致系統(tǒng)故障。
因為IGBT通常用于高壓和高功率，所以它的故障既昂貴又危險。在IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷有機會出現(xiàn)故障之前找到它們是有意義的。
IGBT在生產(chǎn)工藝上與普通半導(dǎo)體產(chǎn)品相同。產(chǎn)業(yè)鏈包括規(guī)劃、生產(chǎn)、包裝和測試。國內(nèi)企業(yè)在IGBT領(lǐng)域技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，產(chǎn)業(yè)化起步較晚，在規(guī)劃、測試、封裝等中心技術(shù)方面積累不足。
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X-ray可以對IGBT進行無損檢測成像，射線可以穿透IGBT模塊的散熱器完成有用的檢測，通過穿透射線的衰減觀察圖像的局部差異。
X-ray檢測設(shè)備可以大量檢測IGBT模塊。IGBT是混合動力汽車中最常見的，但也可用于傳統(tǒng)汽車的發(fā)動機。IGBT會發(fā)出大量的熱量。如果任何結(jié)構(gòu)異常(如空隙或未粘合)會擾亂散熱途徑，則可能因過熱而失效。
IGBT中最常見的缺陷是氣隙和鍵合損失，x光成像可以成功檢測焊料中的間隙。其它常見缺陷包括陶瓷筏翹曲或傾斜(兩者都會改變熱流，使芯片破裂)和芯片下焊料的孔隙率。IGBT模塊可在封裝前后通過X射線成像進行檢查。如果在封裝前對其進行成像檢測，有問題的部件可以再次修復(fù)。
X-ray檢測最大的優(yōu)點是檢測結(jié)果直觀。通過圖像顯示IGBT的內(nèi)部缺點，軟件自動識別判斷提高了X-ray檢測的準確性，降低了人工誤判率。在IGBT生產(chǎn)過程中，不僅保證了產(chǎn)品質(zhì)量，而且在R&D規(guī)劃階段提供了可靠的改進依據(jù)。X-Ray檢測設(shè)備采用X射線透射原理檢測IGBT模塊，無需額外成本，檢測快捷準確。X-ray檢測產(chǎn)品很多，X-ray檢測具有高清圖像和缺陷分析功能，受到業(yè)界的好評是一個很好的選擇。
