現(xiàn)代科技的發(fā)展是以集成電路為基石。集成電路發(fā)展的最直接的目標(biāo)就是在單位面積內(nèi)或者單位體積內(nèi)集成更多的晶體管。集成電路技術(shù)包括芯片制造技術(shù)與設(shè)計(jì)技術(shù)，主要體現(xiàn)在加工設(shè)備，加工工藝，封裝測(cè)試，批量生產(chǎn)及設(shè)計(jì)創(chuàng)新的能力上。它在電路中用字母“IC”表示，當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。
一、無損失效分析
1.外觀檢查，主要憑借肉眼檢查是否有明顯缺陷，如塑脂封裝是否開裂，芯片引腳是否接觸良好。
2.X射線檢查，就是利用X射線的透視性能對(duì)被測(cè)樣品進(jìn)行X射線照射，樣品缺陷部份會(huì)吸收X射線，導(dǎo)致X射線照射成像出現(xiàn)異常。X射線主要檢查集成電路引線是否損壞問題。根據(jù)電子元器件的大小和結(jié)構(gòu)選擇合適的波長(zhǎng)，這樣能得到合適的分辨率。
3.掃描聲學(xué)顯微鏡探測(cè)，就是利用超聲波探測(cè)樣品內(nèi)部缺陷，依據(jù)超聲波的反射找出樣品內(nèi)部缺陷所在位置，這種方法主要用主集成電路塑封時(shí)水氣或者高溫對(duì)器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者脫層。
二、有損失效分析
1. 打開封裝
有損失效分析，首先是對(duì)集成電路進(jìn)行開封處理，開封處理要做到不損壞芯片內(nèi)部電路。根據(jù)對(duì)集成電路的封裝方式或分析目不同，采取相應(yīng)的開封措施。通常有三種打開封裝方法。
方法一，全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內(nèi)部電路。缺陷是由于內(nèi)部電路和引線全部被破壞，無法再進(jìn)行電動(dòng)態(tài)分析 。
方法二，局總?cè)コǎ朔ㄊ抢醚心C(jī)研磨集成電路表面的樹脂直到芯片。優(yōu)點(diǎn)是開封過程中不損壞內(nèi)部電路和引線，開封后可以進(jìn)行通電電動(dòng)態(tài)分析。
方法三，是全自動(dòng)法，此法是利用硫酸噴射達(dá)到局部去除的效果。
2.電性分析
①缺陷定位，定位具體失效位置在集成電路失效分析中，是一個(gè)重要而困難的項(xiàng)目，缺陷定位后才能發(fā)現(xiàn)失效機(jī)理及缺陷特征。
a.Emission顯微鏡技術(shù)，具有非破壞性和快速精準(zhǔn)的特性。它使用光電子探測(cè)器來檢測(cè)產(chǎn)生光電效應(yīng)的區(qū)域。由于在硅片上產(chǎn)生缺陷的部位，通常會(huì)發(fā)生不斷增長(zhǎng)的電子--空穴再結(jié)全而產(chǎn)生強(qiáng)烈的光子輻射。
b. OBIRCH技術(shù)是利用激光束感應(yīng)材料電阻率變化的測(cè)試技術(shù)。對(duì)不同材料經(jīng)激光束掃描，可得到不同材料電阻率變化，這一方法可以測(cè)試金屬布線內(nèi)部的那些可靠性隱患。
C.液晶熱點(diǎn)檢測(cè)一般由偏振顯微鏡，可調(diào)節(jié)溫度的樣品臺(tái)，以及控制電路構(gòu)成。在由晶體各向異性變?yōu)榫w各向同性時(shí)，所需要的臨界溫度能量很小，以此來提高靈敏度。同時(shí)相變溫度應(yīng)控制在30-90度，偏振顯微鏡要在正交偏振光的使用，這樣可以提高液晶相變反應(yīng)的靈敏度。
②電性能分析(探針臺(tái))
根據(jù)飾電路的版圖和原理圖，結(jié)合芯片失效現(xiàn)象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后利用微探針顯微技術(shù)，來定位缺陷器件。
③微探針檢測(cè)技術(shù)
微探針的作用是測(cè)量?jī)?nèi)部器件上的電參數(shù)值，如工作點(diǎn)電壓、電流、伏安特性曲線。微探針技術(shù)一般伴隨電路分析配合使用，兩者可以較快地搜尋失效器件。
_20220419141232_223.png "集成電路基本知識(shí) 失效分析及步驟講解")
三、物理分析
1. 聚焦離子束(FIB)
就是利用電鏡將離子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦離子束系統(tǒng)由離子源，離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。聚焦離子束的主要應(yīng)用是對(duì)集成電路進(jìn)行剖面，傳統(tǒng)的方法是手工研磨或采用硫酸噴劑，這兩種方法雖說都可以得到剖面，但在日益精細(xì)的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以，此這種方法顯然不適用。聚焦離子束的細(xì)微精準(zhǔn)切割，結(jié)合掃描電鏡的高分辨率成像，可以很好地解決剖面問題。聚焦離子束對(duì)被剖面的集成電路沒有限制，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時(shí)剖面過程過集成電路愛到的應(yīng)力很小，完整地保存集成電路，使檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。
2. 掃描電子顯微鏡(SEM)
就是利用聚焦離子束轟擊器件面表，面產(chǎn)生許多電子信號(hào)，將這些電子信號(hào)放大作為調(diào)制信號(hào)，連接顯示器，可得到器件表面圖像。
3.透射電子顯微鏡(TEM)
透射電子顯微鏡分辨率可以達(dá)到0.1nm，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷，更好地滿足集成電器失效分析對(duì)檢測(cè)工具的解析要求。
4. VC定位技術(shù)
利用Emission/OBIRCH/液晶技術(shù)來定位集成電路中的失效器件，在實(shí)際應(yīng)用中熱點(diǎn)的位置往往面積偏大，甚至?xí)x失效點(diǎn)幾十個(gè)微米，這就需要一種更精確的定位技術(shù)，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小。VC定位技術(shù)是利用SEM或FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不現(xiàn)部位有不同電勢(shì)，表現(xiàn)出來不同的明亮對(duì)比，找出導(dǎo)常亮的點(diǎn)從而定位失效點(diǎn)。
四、集成電路失效分析步驟
1. 開封前檢查，外觀檢查，X光檢查，掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。
2. 開封顯微鏡檢查。
3. 電性能分析，缺陷定位技術(shù)、電路分析及微探針分析。
4. 物理分析，剝層、聚焦離子束(FIB)，掃描電子顯微鏡(SEM)，透射電子顯微鏡(SEM)、VC定位技術(shù)。
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