芯片測(cè)試都有哪些內(nèi)容?IC芯片可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
日期：2022-10-28 16:13:28 瀏覽量：1925 標(biāo)簽: 可靠性測(cè)試 芯片測(cè)試
芯片在各種電子設(shè)備中，和人體器官發(fā)揮的作用類似。為了達(dá)到這樣級(jí)別的芯片運(yùn)行的可靠性水平，測(cè)試和測(cè)量在整個(gè)芯片設(shè)計(jì)和封裝測(cè)試過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。半導(dǎo)體制造工廠在對(duì)芯片每個(gè)工藝參數(shù)進(jìn)行精確控制的同時(shí)，也會(huì)在生產(chǎn)的每個(gè)階段進(jìn)行測(cè)試，盡早排除有缺陷的零件。接下來(lái)文中將簡(jiǎn)單介紹IC芯片可靠性測(cè)試，一起來(lái)看看吧！
芯片可靠性測(cè)試主要分為環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng)，其中環(huán)境試驗(yàn)中包含了機(jī)械試驗(yàn)（振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、離心加速試驗(yàn)、引出線抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)和引出線彎曲試驗(yàn)）、引出線易焊性試驗(yàn)、溫度試驗(yàn)（低溫、高溫和溫度交變?cè)囼?yàn)）、濕熱試驗(yàn)（恒定濕度和交變濕熱）、特殊試驗(yàn)（鹽霧試驗(yàn)、霉菌試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、靜電耐受力試驗(yàn)、超高真空試驗(yàn)和核輻射試驗(yàn)）；而壽命試驗(yàn)包含了長(zhǎng)期壽命試驗(yàn)（長(zhǎng)期儲(chǔ)存壽命和長(zhǎng)期工作壽命）和加速壽命試驗(yàn)（恒定應(yīng)力加速壽命、步進(jìn)應(yīng)力加速壽命和序進(jìn)應(yīng)力加速壽命），其中可以有選擇的做其中一些。
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可靠性試驗(yàn)
1.溫度下限工作試驗(yàn):受試樣品先加電運(yùn)行測(cè)試程序進(jìn)行初試檢測(cè)。在受試樣品不工作的條件下，將箱內(nèi)溫度逐漸降到0℃,待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行測(cè)試程序5h，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，試驗(yàn)完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無(wú)明顯偏差。
2.低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)將樣品放入低溫箱，使箱溫度降到-20℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，再恢復(fù)2h，加電運(yùn)行測(cè)試程序進(jìn)行后檢驗(yàn)，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無(wú)明顯偏差。為防止試驗(yàn)中受試樣品結(jié)霜和凝露，允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗(yàn)，必要時(shí)還可以在密封套內(nèi)裝吸潮劑。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無(wú)明顯偏差。
3.溫度上限工作試驗(yàn)受試樣品先進(jìn)行初試檢測(cè)。在受試樣品不工作的條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運(yùn)行系統(tǒng)診斷程序5h，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，試驗(yàn)完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無(wú)明顯偏差。
4.高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)將樣品放入高溫箱，使箱溫度升到55℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無(wú)明顯偏差。
以上是創(chuàng)芯檢測(cè)小編整理的IC芯片可靠性測(cè)試相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)您有所幫助。我公司擁有專業(yè)工程師及行業(yè)精英團(tuán)隊(duì)，建有標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)室3個(gè)，實(shí)驗(yàn)室面積1800平米以上，可承接電子元器件測(cè)試驗(yàn)證、IC真假鑒別，產(chǎn)品設(shè)計(jì)選料、失效分析，功能檢測(cè)、工廠來(lái)料檢驗(yàn)以及編帶等多種測(cè)試項(xiàng)目。
