IC芯片老化試驗是指在特定條件下對集成電路芯片進行長時間的穩(wěn)定性測試，以驗證其在使用壽命內(nèi)的可靠性和穩(wěn)定性。其主要作用是評估芯片的壽命和性能，以提高芯片的質(zhì)量和可靠性。
最先進的老化類型是TDBI（testduringburn-in老化期間的測試）。全功能測試模式和全響應(yīng)監(jiān)控用于每個單獨芯片。優(yōu)點是可以確定準確的故障時間和特征以及設(shè)備或接觸問題。最大限度地減少老化泄漏，并可回收未暴露于老化電壓的芯片。每個芯片的單獨監(jiān)測限制了一個老化板上可以施加壓力的部件數(shù)量，所需的設(shè)備使這種老化通常非常昂貴。
_20240123154156_496.jpg "探討IC芯片老化試驗及其作用")
老化測試主要分為四大類：
一、高溫工作壽命（HTOL）：
產(chǎn)品的可靠性是通過加速熱激活失效機制來確定的。在偏差操作條件下，客戶零件會受到高溫的影響。在壓力下，通常會對設(shè)備施加動態(tài)信號。典型Vcc是最大工作電壓。本試驗用于預(yù)測長期故障率。所有測試樣品必須在HTOL測試之前通過最終電氣測試。適用規(guī)格：JESD22-A108、MIL-STD-883、EIAJ-ED4701-D323。
二、HTSL測試：
測量設(shè)備對模擬存儲環(huán)境的高溫環(huán)境具有抵抗力。應(yīng)力溫度通常設(shè)定為1255°C或150°C，加速溫度對試樣的影響。在測試中，沒有對器件施加偏壓。適用規(guī)格：JESD22-A103、MIL-STD-883
三、HAST測試：
溫濕度高加速應(yīng)力試驗(HAST)加速了與85°C/85%相對濕度測試失效機制相同。典型的測試條件是130°C加壓和非冷凝/85%相對濕度。通過外部保護材料部保護材料（包裝或密封）或金屬導(dǎo)體通過外部保護材料和金屬導(dǎo)體之間的界面。在高加速度的溫濕度應(yīng)力試驗前，對表面安裝裝置的樣品進行預(yù)處理和最終電氣試驗。適用規(guī)格：JESD22-A110（有偏）、JESD22-A118（無偏）。
四、CSP可靠性測試：
為了適應(yīng)較薄、較小、功耗較低的產(chǎn)品，可靠性鑒定、系統(tǒng)小型化，特別是在消費電子市場，正在推動先進包裝技術(shù)的發(fā)展。這增加了芯片級包裝(CSP)這些包裝的尺寸與管芯基本相同。CSP為了支持他們進入的電子設(shè)備，基板也越來越薄。不幸的是，使CSP在處理過程中，這種吸引人的尺寸優(yōu)勢也過程中變得脆弱和脆弱。由于處理或插入，這可能導(dǎo)致破裂、開裂和球損傷。
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